Işık, saniyede üç yüz bin kilometre hızla, doğrusal bir yönde ve titreşim hareketi yaparak yol alan foton adı verilen parçacıklardan oluşur. Doğada mutlak sıfır yani -273,15 °C’nin üzerinde sıcaklığı bulunan tüm nesneler bulundukları ortama foton yayar ve ısındıkça yaydıkları fotonun titreşimi daha yüksek frekansta olur. Yüksek frekansta titreşim yapan fotonlar daha yüksek enerjiye sahiptir. Aynı ortamda yol alan farklı frekanstaki fotonların hızları aynı olduğundan farklı enerjideki fotonlar enerjileriyle ters orantılı dalga boylarına sahiptir.
Nesnelerden yayılan fotonların dalgaboyları nesnelerin sıcaklığına bağlı olduğundan çevremizde bulunan nesneler görünür bantta değil 3 µm - 12 µm dalgaboylarında ışıma yaparlar. Termal bantlar olarak adlandırılan Orta Dalgaboyu Kızılötesi (MWIR) ve Uzun Dalgaboyu Kızılötesi (LWIR) bantlardaki ışıma doğrudan nesnenin kendisinden geldiği için bu bantlarda görüntüleme yapan sistemlerde ek bir ışık kaynağı kullanılmasına ihtiyaç yoktur. Çok yüksek sıcaklıktaki nesnelerin ışıma yapabildiği Kısa Dalgaboyu Kızılötesi (SWIR), Yakın Kızılötesi (NIR) ve Görünür (VIS) bantlarda görüntüleme yapılabilmesi için ise ortamda ışık kaynağına ihtiyaç duyulur. Bu ışık kaynağı güneş, ay, yıldız ışığı ve atmosfer ışıması gibi doğal kaynaklar olabileceği gibi yapay aydınlatmalar da olabilir.
İlk örnekleri fotoğraf makineleri ve filmli kameralar olan görüntüleme sistemlerinde kullanılan sensörler görünür banttaki (VIS) fotonları algılayan foto-aktif filmlerdir.
NIR bandındaki fotonların üzerine düşmesi sonucu elektron salınımı yapan alkali katot ile elektrik alanda hızlandırılmış elektronların çarpmasıyla görünür bantta foton salınımı yapan fosfor anottan oluşan görüntü yoğunlaştırıcılar ise görünür bandın dışında algılama yapan ilk sensörlerdir. Bu teknoloji, 20. yüzyılın başlarında geliştirilmeye başlandı ve İkinci Dünya Savaşında düşük ışıkta ve gece görüş amaçlı olarak kullanıldı.
Daha uzun dalgaboylarındaki kızılötesi bantlarda algılama yapan (MWIR, LWIR) sensörler ancak yarıiletken malzeme teknolojilerinde büyük teknolojik gelişmelerin olduğu yirminci yüzyılın ikinci yarısında ortaya çıktı. Bileşik yarıiletken malzeme üretim teknolojilerindeki gelişmeler sayesinde; Cıva Kadmiyum Tellür (Mercury Cadmium Telluride, MCT), İndiyum Antimoni (Indium Antimonide, InSb), Tip II Süperörgü (Type II Superlattice, T2SL), İndiyum Galyum Arsenit (Indium Gallium Arsenide, InGaAs), Galyum Arsenit (Gallium Arsenide, GaAs) ve Alüminyum Galyum Nitrat (Aluminium Gallium Nitride, AlGaN) gibi algılayıcı yarıiletken bileşik malzemeler üretilebildi. Bu sayede; UV bandından LWIR bandına kadar bütün dalgaboylarında algılama yapan sensörlerin üretilebilmesi mümkün hale geldi.
ASELSAN’daki sensör tasarım ve üretim faaliyetleri görüntü yoğunlaştırıcı tüpler, foton dedektörler ve mikrobolometre dedektör olmak üzere 3 temel alanda yürütülüyor.
Görüntü Yoğunlaştırıcı Tüpler
Yarıiletken algılayıcı malzemeler kullanılarak hem Morötesi (UV) hem de Yakın Kızılötesi (NIR) bant için doğrudan algılama yapan teknolojiler geliştirilmiş olsa da Morötesi (UV) ve Yakın Kızılötesi (NIR) bantlarda yaygın olarak görüntü yoğunlaştırıcı tüp tabanlı sensörler kullanılır.
Morötesi (UV) ışıma, çok yüksek sıcaklıktaki nesneler kaynaklı olması ve güneşten gelen UV ışınların büyük bir kısmının ozon tabakasında soğurulması nedeniyle doğada kendiliğinden bulunmaz. Bu durum, füzelerin ilk çıkış (burst) anında yakmakta oldukları yakıtların çok yüksek sıcaklıklara ulaşmasıyla UV bandında yaptıkları ışımanın tespit ve ayrıştırılmasında çok önemli bir avantaj sağlar. Sintilatör veya yarıiletken tabanlı UV sensörler sırasıyla tepki süresi ve hassasiyet bakımından UV görüntü yoğunlaştırıcı tüplerle yarışamadığından uçak ve helikopterlere yönelik füze ikaz sistemlerinde yaygın olarak multi-alkali fotokatot tabanlı görüntü yoğunlaştırıcı UV tüpler kullanılıyor. ASELSAN’da Füze İkaz Sistemlerine yönelik olarak UV görüntü yoğunlaştırıcı tüp tasarımı ve üretimi yapılıyor. Dünyada sayılı UV tüp üreticilerinden olan ASELSAN’ın ürettiği tüpler Genel Maksat, ATAK, Şili Rotor vb. proje/platformlara entegre ediliyor.
NIR sensörler ay ışığı, yıldız ışığı ve atmosfer ışıması gibi düşük ışık ortamlarında gece görüş imkânı sağlayan küçük, hafif ve düşük güç gereksinimli sistemlerde kullanılır. Bu sistemler görünür banttaki yapay aydınlatmalar ile köreltilemez ve NIR bantta gizli yapay aydınlatma ile gece görüşe imkân verir. Silisyum yarıiletken tabanlı NIR sensörler hassasiyet bakımından multi-alkali veya GaAs fotokatot tabanlı NIR görüntü yoğunlaştırıcı tüplerle yarışamadığından taşınabilir gece görüş sistemlerinde NIR tüpler kullanılır. ASELSAN’da NIR görüntü yoğunlaştırıcı tüpler kullanılarak farklı uygulamalara hizmet eden gece görüş sistemleri tasarlanıp üretiliyor. Bu sistemlerde kullanılan NIR görüntü yoğunlaştırıcı tüp teknolojisinin de ülkemize kazandırılmasına yönelik çalışmalar devam ediyor.
Foton Dedektörler
Sensör üzerine düşen fotonun fotoelektrik etki nedeniyle elektrik akımı oluşturmasıyla çalışan sensörler foton dedektörler olarak adlandırılır. Yarıiletken algılayıcı malzemeler kullanılarak üretilen foton dedektörler, yarıiletken malzemenin algılama yaptığı dalgaboyu aralığına göre SWIR, MWIR veya LWIR bantlarında algılama yapabilmektedir.
Kısa Dalgaboyu Kızılötesi – SWIR
SWIR dedektörler VIS sensörler gibi ışık kaynaklarının yüzeyden yansımasını görüntülediği için oluşan görüntü VIS ile benzerdir. SWIR görüntüleme sistemleri ile camın SWIR geçirgenliği nedeniyle cam arkası görüntüleme gerçekleştirilebiliyor, yeterli ışık bulunan ortamda belirli bir yoğunluk ve parçacık büyüklüğüne kadar toz, pus, duman ve yoğun olmayan sis arkasının görüntülenmesi yapılabiliyor. SWIR görüntüleme sistemleri görünür ışıktan etkilenmediğinden gündüz koşullarında VIS algılayıcılara kıyasla daha yüksek kontrast elde edilebiliyor. Aynı zamanda, yerden yükselen sıcak havanın VIS algılayıcılarda yarattığı görüntü dalgalanmaları SWIR algılayıcılarda oluşmuyor.
ASELSAN tesislerinde kurulu olan mikroelektronik üretim altyapısında InGaAs bileşik yarıiletken malzeme tabanlı SWIR kızılötesi dedektör prototipleri üretilmiş olup sensör performasının iyileştirilmesine ve seri üretime yönelik olarak çalışmalar devam ediyor.
Orta Dalgaboyu Kızılötesi – MWIR
MWIR foton dedektörlerin -150°C’nin altındaki kriyojenik sıcaklıklara kadar soğutulma ihtiyacı bulunur. Dedektörün kriyojenik sıcaklıklara soğutulabilmesi için yüksek vakum ortamında paketlenerek kriyojenik bir soğutucu ile entegre edilmesi gerekir. MWIR soğutmalı kızılötesi dedektörler keşif, gözetleme, hedefleme ve arayıcı başlık sistemlerinde yaygın olarak kullanılmakta olup hassas termal görüntüleme yapılmasına imkân verir.
ASELSAN tarafından geliştirilen keşif ve gözetleme sistemlerinde kullanılan 640x512 formatlı ve 15µm piksel adımlı MWIR MCT soğutmalı kızılötesi dedektörün millileştirilmesi faaliyetlerinde sona yaklaşıldı. Prototip kalifikasyon faaliyetlerinin 2021 yılında tamamlanarak seri üretime başlanması hedefleniyor. Mikroelektronik üretim tesisinde MCT ile birlikte T2SL bileşik yarıiletken malzeme tabanlı MWIR soğutmalı kızılötesi dedektör geliştirilmesine yönelik çalışmalarımız da devam ediyor. Kalifikasyon sonrasında 640x512 formatlı ve 15 µm piksel adımlı MWIR T2SL soğutmalı kızılötesi dedektörün ASELSAN ürünü keşif ve gözetleme sistemlerinde kullanılması hedefleniyor.
Uzun Dalgaboyu Kızılötesi – LWIR
LWIR foton dedektörlerin MWIR bandında çalışan foton dedektörlerde olduğu gibi görüntüleme esnasında ışık kaynağı ihtiyacı bulunmaz ve kriyojenik sıcaklıklara soğutulması gerekir. LWIR bandında algılama yapan yarıiletken malzemeler MWIR bandındakilere kıyasla daha dar yarıiletken bant aralığına sahip olduğu için LWIR foton dedektörler MWIR foton dedektörlere kıyasla malzeme içerisindeki kusurlara daha duyarlıdır. Bu durum LWIR foton dedektörlerin üretim süreçlerinin çok daha hassas yapılmasını gerektirir.
ASELSAN mikroelektronik üretim altyapısında 640x512 formatlı ve 15 µm piksel adımlı MCT LWIR soğutmalı kızılötesi dedektör prototip geliştirme çalışmaları devam etmekte olup tank, gemi ve uçak gibi birçok platforma yönelik görüntüleme sistemlerindeki LWIR soğutmalı kızılötesi dedektörler millileştirilecek.
Foton Dedektör Geliştirme ve Üretim Süreçleri
SWIR, MWIR veya LWIR foton dedektör geliştirme ve üretim süreçleri sensör malzemesi, piksel yapısı ve soğutma ihtiyacına göre farklılıklar gösterse de aynı altyapıda benzer süreçler içerir. ASELSAN’da MCT malzeme için Kadmiyum Kurşun Tellür (Cadmium Zinc Telluride, CZT) kristal taban büyütme, MCT malzeme büyütme, InGaAs, MCT ve T2SL algılayıcı malzemelerden sensör üretme ve soğutmalı/soğutmasız paket yapısı üretimi süreçleri geliştiriliyor. Bu süreçler sonunda ortaya çıkan kızılötesi dedektörlerin çevre koşulu testleri ve görüntüleme sistemlerine entegrasyonu da ASELSAN’da yapılıyor.
Yürütülmekte olan algılayıcı malzeme büyütme çalışmaları kapsamında MWIR ve LWIR bantlarında algılama yapabilen foton dedektörleri için MCT algılayıcı malzeme geliştiriliyor. ASELSAN mikroelektronik üretim altyapısında bulunan Moleküler Işın Epitaksisi (Molecular Beam Epitaxy, MBE) sisteminde büyütülen MCT kristal malzeme, MWIR ve LWIR bantlarında görüntülemede kullanılan soğutmalı kızılötesi dedektörler için en yüksek performansı gösteren algılayıcı malzemedir.
MBE sistemi haznesi sürekli sıvı azotla soğutularak son derece yüksek vakum ortamı oluşturuluyor. Böylece yüksek sıcaklıkta ısıtılarak gaz fazına getirilen Civa (Hg), Kadmiyum Tellür (CdTe) ve Telleryum (Te) kaynak malzemelerinden atom ve molekül demetleri elde ediliyor. Bu malzemeler, çok hassas bir şekilde kontrol edilen hızda ve oranda, belli bir sıcaklıkta ısıtılmış tek kristal taban üzerinde katılaştırılarak tek kristal MCT algılayıcı malzeme büyütülüyor.
MCT kızılötesi dedektörlerin performansını belirleyen en önemli bileşenlerden bir tanesi MCT algılayıcı katman kalitesidir. Yüksek kalitede MCT katman büyütebilmek için taban sıcaklığının büyütme süresince sabit tutulması, büyütme başlangıç koşullarının ve büyütme akılarının belirlenmesi gibi süreçlerin optimizasyonu gerekiyor.
MCT malzeme büyütme, örgü sabiti MCT malzeme ile uyumlu CZT kristal taban üzerine yapılıyor. CZT taban üretimi, stokiyometri kontrolü, yüksek malzeme kalitesinin sağlanması, maksimum taban boyutu gibi çeşitli üretim zorlukları ve limitleri içeriyor.
ASELSAN’daki CZT taban üretimi hacimsel yarıiletken kristal büyütme, yüzey hazırlama ve karakterizasyon işlemlerini kapsıyor. CZT taban üretiminde yüksek saflıktaki (≥%99.999) başlangıç malzemelerinin yüksek sıcaklıkta (~1100 °C) eritilerek homojen karışması sağlanıyor. Eriyik haldeki Cd, Zn, Te elementleri kristal büyütme sürecinde hassas bir şekilde kontrollü soğutma işlemine tabi tutularak CZT kristal külçesi elde ediliyor.
Büyütme işlemi sonucunda CZT külçesinde farklı kristal yönelimlerinde bir ya da genellikle birden fazla tek kristal bölgeler oluşuyor. Bu tek kristal bölgeler hedeflenen taban boyutlarına göre CZT külçe üzerinde seçilerek MBE’de MCT büyütme işleminin gereksinimi olan kristal yönelimine göre hizalanıyor, dilimleniyor ve çıkarılıyor. Çıkarılan tabanlara MBE sisteminde epitaksi gereksinimlerine uygun olarak yüzey hazırlama işlemleri uygulanıyor. Hedef son kalınlık ve yüzey pürüzlülük değerlerine ulaşmak üzere düzleme ve parlatma işlemleri uygulanıyor. Yüzey hazırlama işlemleri sonrasında 1 mm’nin altında kalınlığa ve 1 nm’nin altında yüzey pürüzlülüğüne sahip ayna parlaklığında CZT tabanlar üretiliyor. CZT taban üretimi dünyada çok az ülkenin sahip olduğu bir teknoloji olup, ASELSAN söz konusu teknolojiyi kendi imkânlarıyla geliştirebilen nadir firmalardan biridir.
Algılayıcı malzemenin elde edilmesinden sonra mikrofabrikasyon üretim prosesleri kullanılarak sensör olarak da tanımlanan belirli bir formata ve piksel adımına sahip Odak Düzlem Dizini (Focal Plane Array, FPA) elde ediliyor. FPA formatı (örneğin; 640x512) odak düzlem dizini üzerindeki toplam piksel sayısı olup, sütun ve satır sayılarının çarpımıdır. FPA piksel adımı (örneğin; 15 µm) ise mikrometre birimine sahip olup, ardışık iki pikselin merkezleri arasındaki uzaklıktır.
ASELSAN’da MCT, T2SL ve InGaAs malzemeleri ile odak düzlem dizini üretilmesine yönelik mikrofabrikasyon üretim süreçleri geliştiriliyor. Odak düzlem dizini elde edebilmek için geçilen mikro-fabrikasyon üretim süreci; piksellerin oluşturulması, kontak metalizasyonu ve pasivasyon kaplaması olmak üzere üç ana aşamadan oluşuyor. Bu aşamaların her birinde litografi ile mikrometre hassasiyetinde şekillendirme yapılarak ilgili aşama için desen oluşturuluyor. Bu sayede piksellerin algılayıcı malzeme üzerindeki yerleri tayin ediliyor, kontak metallerinin piksel üzerindeki yerleri tanımlanıyor ve pasivasyon kaplamanın sınırları belirleniyor.
Piksellerin oluşturulması mesa veya planar piksel yapısı seçimine göre iki farklı yöntemle gerçekleştirilir. Mesa piksel yapısı, algılayıcı malzeme üzerinde litografi ile tanımlanan bölgelerin algılayıcı malzemenin alt kontak katmanına kadar aşındırılması ile elde edilir. Planar piksel yapısı ise algılayıcı malzeme üzerinde litografi ile tanımlanan bölgelere katkılama işleminin yapılması ile oluşturulur. ASELSAN’da hem mesa hem de planar tipte piksel yapısına sahip odak düzlem dizinleri üretiliyor.
Sensör piksellerinin üzerine düşen kızılötesi radyasyonun ürettiği fotoakım, okuma entegre devresi (Read-Out Integrated Circuit, ROIC) ile toplanır. Okuma devresi, piksellerin fotoakımlarını belirli bir sinyale çevirip elektronik kartlara aktarma işlevinden sorumludur. ASELSAN, entegre devre tasarım ekibi sensör özelliklerine ve uygulamaya göre okuma devreleri tasarlıyor.
Sensörün ilgili okuma devresi ile entegre edilmesine hibrit tümleştirme adı verilir. Tümleştirme işlemi, sensör ve okuma devresi piksellerinin karşılıklı olarak hizalanmasının ardından piksellerin indiyum toplar ile birbirlerine elektriksel ve fiziksel olarak bağlanması yoluyla gerçekleştiriliyor.
Dedektör olarak isimlendirilen sensör ve okuma devresi hibrit yapısı dedektör çalışma sıcaklığında ve ilgili çevre koşulları altında işlevini yerine getirebilmek için opto-mekanik taşıyıcı içerisinde paketleniyor. Dedektörü sürekli yüksek vakum altında tutan optomekanik taşıyıcı yapı; optik giriş penceresi, kapak, elektriksel iletim seramiği ve bakır vakumlama borusu gibi birimlerden oluşuyor. Bu birimler; lehimleme, sert lehimleme, punto kaynak ve lazer kaynak gibi süreçler kullanılarak hermetik olarak birleştiriliyor. Paketleme süreçleri sonunda ortaya çıkan kızılötesi dedektörlerin tanımlanan kriterleri sağlayıp sağlamadıkları elektro-optik performans testlerine tabi tutularak belirleniyor.
ASELSAN’daki foton dedektör geliştirme çalışmaları Savunma Sanayi Başkanlığının da desteğiyle son yıllarda büyük bir yol katetti. Seri üretim faaliyetlerine başlanması ile birlikte ASELSAN dünyanın sayılı foton dedektörü üreticileri arasına girecektir. Dünyada çok az sayıda ülkenin sahip olduğu bu teknolojinin kazanılmasıyla, ülkemizin ileri teknoloji ürünlerine yenilerini ekleyecek olmanın heyecanını ve haklı gururunu yaşıyoruz.
Mikrobolometre Tipi Soğutmasız Dedektör - SAFIR-640
Mikrobolometre tipi soğutmasız dedektörler, çok düşük sıcaklıklara (< -150 °C) kadar soğutulmaya ihtiyaç duymadan, oda sıcaklığında, kızılötesi ışımayı algılayabilen sensörlerdir. Büyük bir soğutucu birimine ihtiyaç olmaması; boyut ve ağırlığın önemli olduğu uygulamalarda bu tip dedektörlerin tercih edilmesini sağlamakta ve dedektör açısından da hafiflik ve düşük güç tüketimi anlamlarına gelir. Bu tip dedektörler, okuma devrelerini bulunduran silisyum diskler üzerinde, Mikro-Elektro-Mekanik Sistemler (MEMS) teknolojileri kullanılarak, mikronlar mertebesinde küçük piksellerin yüzbinlercesinin yan yana üretilmesi ile oluşturulur.
Bir dedektör dizininin en küçük yapı taşı pikseldir. Her bir piksel, gelen kızılötesi yayılımı, elektriksel direnç değişimine çevirir ve okuma devreleri, bu elektriksel direnç değişimi bilgisini işleyerek termal görüntüyü oluşturur. Sunulan teknolojinin algılama prensibi, dedektör yongalarının vakum ortamında paketlenmesini de gerektirir.
Mikrobolometre tipi soğutmasız kızılötesi dedektörler; ALTAY ve M60 tankları başta olmak üzere birçok zırhlı araç çevre gözetleme sistemlerinde, UMTAS, OMTAS ve KARAOK füze arayıcı başlıklarında ve termal silah dürbünleri gibi birçok kara, hava ve deniz platformunda yaygın olarak kullanılıyor.
ASELSAN tarafından; mikrobolometre tipi soğutmasız kızılötesi dedektör teknolojisinin milli imkânlarla geliştirilmesi ve seri üretimi hedefiyle 2016 yılında MEMS tesisi yatırımı yapılmasına karar verildi. Bu kapsamda; ASELSAN Akyurt Yerleşkesinde bulunan yaklaşık 1.000 m2’lik temiz alan kuruldu ve MEMS yatırımları 2018 yılı sonunda tamamlandı.
ASELSAN tarafından geliştirilen mikrobolometre dedektör pikseli yüksek performans elde edebilmek amacıyla iki katlı olarak tasarlandı. Böylece pazar lideri dedektör üreticilerinin sunmuş olduğu dedektör performansı yakalandı ve ileride hedeflenen daha küçük piksel adımlı dedektörler için de proses yeteneği elde edildi. Tasarlanan yapıda ilk kat, destek kollarının bulunduğu kat olup temel olarak piksel gövdesine mekanik destek sağlarken, aynı zamanda termal izolasyonu da sağlıyor. Piksel gövdesinin ve aktif malzemenin bulunduğu ikinci kat ise piksel direncinin oluşacağı, elektrot yapısının şekilleneceği ve kızılötesi radyasyonun soğrulacağı kısım olarak üretiliyor. Piksel tasarımında piksel termal iletkenliği, zaman sabiti ve kızılötesi radyasyonun soğurma katsayısı, termal ve mekanik simülasyonlar yapılarak belirlendi. Simülasyon metodu olarak sonlu elemanlar yöntemi (Finite Element Method - FEM) kullanıldı. Simülasyon ve modellemeler yapılarak tasarlanan dedektör mimarisinin ASELSAN sistemlerinin ihtiyaç duyduğu performansı sağlaması hedeflendi.
Mikrobolometre dedektörlerin görüntü performansını belirleyen en önemli parametre kullanılan aktif malzemenin özellikleridir. Mikrobolometre uygulamalarında kullanılan vanadyum oksit (VOx) ve türevi aktif malzemenin sentezi, göstermiş olduğu yapısal kararsızlıklar nedeniyle oldukça zor bir işlemdir. Üretim koşullarında meydana gelebilecek küçük değişimler VOx malzemesinin fiziksel ve elektriksel özelliklerinde çok büyük değişimlere neden olur. Bu özelliklerden malzeme direncinin sıcaklık değişimine olan tepkiselliğini gösteren direnç sıcaklık değişim katsayısı (Temperature Coefficient of Resistance TCR) ve malzeme gürültü özellikleri dedektör performansını doğrudan etkiler. ASELSAN’da geliştirilen mikrobolometre dedektörlerde Amorf Vanadyum Oksit (a-VWOx) temelli aktif malzeme kullanılıyor. Aktif malzeme üretim süreci oda sıcaklığında gerçekleşmekte olup yüksek sıcaklık gerektiren proseslerin bulunmuyor olması üretim sürecindeki CMOS uyumluluğunu artırıyor.
ASELSAN tarafından kurulan mikrobolometre kızılötesi dedektör üretim tesisinde fotolitografi, yüksek enerjili plazma kaplama ve aşındırma, malzeme işleme ve karakterizasyon gibi hassas mikrofabrikasyon yöntemleri kullanılıyor. ASELSAN mühendisleri tarafından tamamen özgün olarak geliştirilen mikrobolometre dedektörlerin prototip üretimleri başarıyla gerçekleştiriliyor.
Dedektörlerin ürün ve hat kalifikasyon faaliyetlerinin 2020 yılında tamamlanarak 2021 yılı itibarıyla seri üretime başlanması hedefleniyor. ASELSAN mikrobolometre dedektör üretim tesisinde üretilecek dedektörler, ASELSAN’ın her yıl binlerce adet üretip Türk Silahlı Kuvvetlerinin envanterine sunduğu termal kameralara ve ülkemiz için önem arz eden füze arayıcı başlıklarına entegre edilerek ASELSAN’ın ve savunma sanayimizin yetkinliğinin ve bağımsızlığının ileriye taşınması sağlanacak.
Kaynak: ASELSAN Dergisi 107. Sayısı / MGEO Elektro-Optik Sistemler Program Direktörlüğü Müdür Ali Bilge Güvenç / Lider Mühendis Özer Çelik / Lider Mühendis Murat Celal Kılınç / Lider Mühendis İrem Yazıcı / Lider Mühendis İbrahim Büyükgenç
